Ученые из Университета Райса в штате Техас (США) представили технологию производства RRAM — резистивной памяти с произвольным доступом, которая позволит увеличить объем доступной "оперативки" в смартфонах и планшетниках в десятки и даже сотни раз, пишет hitech.vesti.ru.

Речь идет об одной из разновидностей RRAM, у которой выше плотность и ниже уровень энергопотребления, чем у "обычной" памяти. Вдобавок к этому, она более компактна.

На данный момент выпуском модулей RRAM-памяти занимаются всего несколько компаний. Процесс производства таких микросхем дорогостоящий и весьма сложный, он требует высоких температур и напряжения для переключения в приводящее состояние.

Исследователи из Райса предложили иной подход, позволяющий создавать ячейки RRAM-памяти при комнатной температуре и гораздо более низком напряжении. Он заключается в использовании пористого оксида кремния в качестве основного диэлектрического материала.

Созданные по такому принципу ячейки более надежны, не требуют расхода энергии для хранения информации, могут хранить до девяти бит данных на ячейку и обеспечивают более высокую скорость записи/чтения данных (до ста раз быстрее, чем флэш-память). Что самое важное, новая технология облегчает "укладку" слоев RRAM-памяти, что позволяет увеличить объем хранимой информации. У одного из прототипов плотность хранения данных настолько высока, что на микросхеме размером с почтовую марку может быть умещен терабайт памяти.