Японский производитель электронной техники Toshiba совместно с компанией SanDisk Corp планирует построить завод по производству микросхем флеш-памяти. Всего в строительство будет вложено 400 млрд иен, или около $4 млрд, сообщают Вести со ссылкой на Рейтер.

На новой фабрике планируется выпуск микрочипов шириной 16-17 нм, что позволит производить большее количество микросхем на одной кремниевой пластине. Таким образом, компания сможет получить преимущество над Samsung Electronics. Ранее выпущенные чипы имеют ширину 19 нм.

Новый завод будет введен в эксплуатацию в следующем финансовом году, который для Toshiba начнется 1 апреля 2014 г. Новые мощности помогут повысить эффективность производства на 20%. Таким образом, компания в месяц сможет производить около 450 тыс. пластин размером 300 мм.

Компания Toshiba намерена постепенно уменьшить объемы производства бытовой электроники и сконцентрировать свои усилия на проектах, связанных с ядерной энергетикой, и изготовлении чипов флеш-памяти. Для Toshiba это будет первая крупная инвестиция за последние два года, направленная на увеличение производства.