Международная группа учёных создала новый вид электронной памяти, способной осуществлять процессы записи и стирания информации до 100 раз быстрее, чем самые быстрые образцы существующей компьютерной памяти, использующей для хранения информации электрический заряд, пишет сайт dailytechinfo.org. 

Новая память состоит из слоя диэлектрического материала с включенными в него дискретными кремниевым наноточками, диаметром всего 3 нм. Каждая такая наноточка может хранить один бит информации.

Вся структура покрыта тонким слоем металла, который выступает в роли металлического управляющего электрода, затвора. Кремниевая наноточка, в совокупности с диэлектрическим материалом и металлическим управляющим электродом, представляет собой полевой транзистор, способный находиться в активном и неактивном состоянии.

Секрет потрясающего быстродействия нового типа памяти заключается в использовании сверхкоротких вспышек света зеленого лазера. Воздействие лазерного света на металлический слой в районе кремниевой точки позволяет активировать выбранную ячейку памяти, считать или записать в нее информацию.

"Созданная нами структура ячейки памяти может быть изготовлена с помощью самой обычной технологии производства полупроводников CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor)" - рассказывает Джия-Мин Ших, исследователь с Тайваня. - "Используя массивы из многочсленных кремниевых наноточек, можно получить память практически любой емкости, информация в которой записывается и считывается быстрым и простым способом".

По словам исследователей, такой метод хранения информации является весьма надежным и долговременным. Даже в том случае, если какая-либо ячейка памяти полностью выходит из строя, то это не затрагивает ни соседние ячейки памяти, ни информацию, в них содержащуюся. Такие характеристики памяти на кремниевых наноточках позволят создавать на ее основе новые надежные и высокоскоростные устройства долговременного хранения данных.