Исследователи из Массачусетского технологического института сообщили о том, что им удалось изготовить самый маленький на сегодняшний день MOSFET-транзистор. Аппарат сделан из арсенида галлия-индия, и имеет размер всего в 22 нанометра, пишет dailytechinfo.org.

Ученые надеются, что такие транзисторы, когда они войдут в массовое применение, могут обеспечить истинность закона Гордона Мура еще на достаточно продолжительное время, когда «возможности кремниевой электроники в этом направлении будут исчерпаны».

Международная организация International Technology Roadmap for Semiconductors уже достаточно давно определила направление использования MOSFET-транзисторов из арсенида галлия-индия, как одно из наиболее перспективных направлений развития электроники. Но у некоторых специалистов возникают сомнения в том, что транзисторы, разработанные в Массачусетском технологическом институте будут оптимальным решением с точки зрения технологичности их производства.

Новый транзистор был изготовлен на подложке из фосфида индия, который является более хрупким и менее прочным материалом, нежели кремний, используемый в настоящее время. Таким образом, пока ученые не придумают, как изготавливать MOSFET-транзисторы на 300-миллиметровых кремниевых пластинах, не стоит и думать о практическом применении таких транзисторов, несмотря на их замечательные качества и превосходные характеристики.

Несмотря на все это, нанотранзистор, разработанный исследователями Массачусетского технологического института, является большим шагом вперед. Но для того, что бы сделать огромный качественный прорыв в области электроники потребуется сделать еще много подобных шагов.