Специалисты Научно-исследовательской лаборатории ВМФ США (Naval Research Laboratory, NRL) разработали новый тип фотогальванических элементов для солнечных батарей, которые будут эффективно работать на глубине под толстым слоем воды, сообщает dailytechinfo.org.

Ключевым моментом новой технологии слала разработка полупроводникового материала, который демонстрирует высокий фотогальванический эффект на свету синего и зеленого цвета. Ученые NRL использовали фосфид индия-галлия, который демонстрирует самую высокую эффективность преобразования в длинах волн света между 400 и 700 нанометрами, что идеально подходит для подводного применения. Из-за такого узкого диапазона чувствительности фотогальванические ячейки демонстрируют высокую эффективность даже в условиях низкой освещенности.

При проведении испытаний подводные солнечные батареи были опущены на глубину около 10 метров. Несмотря на то, что сила света, прошедшего сквозь толщу воды, значительно снизилась, батареи выдавали 7 Ватт мощности на 1 квадратный метр площади. Такой уровень вырабатываемой энергии вполне достаточен, что бы с помощью батарей большей площади привести в движение небольшую легкую субмарину. А работоспособность солнечных батарей сохраняется, естественно со снижением вырабатываемого количества энергии, при погружении их на глубину до 30 метров.

Такие солнечные батареи в ближайшее время смогут стать источниками энергии для автономных подводных систем, исследовательских станции, сетей подводных датчиков и прочих подводных устройств, которые вынуждены получать солнечную энергию от своей надводной части или по кабелю, связывающему их с источником энергии на судне или на берегу.