Японские и американские специалисты объявили о начале широкомасштабных разработок нового типа оперативной памяти. Вместо динамической памяти с произвольным доступом (DRAM), которая повсеместно используется в современных компьютерах и смартфонах, светила науки предлагают использование магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM).

Свои усилия в рамках революционного проекта объединили более двадцати компаний, среди которых есть такие флагманы, как Tokyo Electron, Shin-Etsu Chemical, Renesas Electronics, Hitachi и американский гигант Micron Technology.

По словам ученых, новый тип памяти может увеличить производительность цифровых устройств в десятки раз, при этом снизив их энергопотребление. Если объяснять популярно, то разница между DRAM и MRAM состоит в разном способе хранения информации. Если DRAM использует для этого электрические заряды, то MRAM хранит информацию с помощью магнитных моментов, для поддержания которых нужно гораздо меньше энергии, что упрощает работу с проводниками и стабилизаторами, пишет Zn.ua со ссылкой на 3Dnews.

Работа над технологиями магниторезистивной памяти MRAM началась в 90-х годах прошлого столетия. Главным преимуществом этого типа запоминающих устройств является энергонезависимость. Сторонники технологии верят, что MRAM станет единым стандартом компьютерной памяти, хотя до сих пор решение не получило распространения на рынке. Лабораторные успехи, о которых время от времени докладывают разработчики, не приближали стадии коммерческого использования MRAM.